Zu den Speicherzellen – den Chipkomponenten, die elektronische Daten speichern – gehören kurzzeitig flüchtige (wie DRAM) und langfristig nichtflüchtige (wie Flash) Speichertypen. DRAM ist die Grundlage für den (aktiven)„Arbeitsspeicher“. Flash-Speicher werden dagegen verwendet, um große Datenmengen in einer kompakten Form zu speichern.
Zwecks Erhöhung der Gerätedichte für mehr Speicherkapazität schrumpfen die DRAM-Funktionen weiter, während NAND-Flash zu 3D-Architekturen übergegangen ist, was zusätzliche Verarbeitungsherausforderungen mit sich bringt. Zum Beispiel sind die zahlreichen Schichten in 3D-NAND anfällig gegenüber Belastungen, wobei jede Unvollkommenheit in den Kanälen mit hohem Seitenverhältnis zu elektrischen Kurzschlüssen und Interferenzen führen kann. Die Herstellung neuerer Speichertypen, die die Lücke zwischen aktiven Klassen und Speicherklassen schließen, ist auch wegen der Verwendung neuartiger, schwer zu verarbeitender Materialien schwierig. Daher sind außergewöhnliche Prozesskontrolle, Flexibilität und Produktivität erforderlich.
Als Innovationsführer stellt Lam sicher, dass unsere Speicherlösungen den sich weiterentwickelnden Anforderungen der Technologie gerecht werden. Einer der Bereiche, in denen wir innovativ tätig sind, um die steigende Nachfrage nach KI, VR, AR und Elektrofahrzeugen zu befriedigen, ist unsere High Bandwidth Memory(HBM)-Technologie. HBM verkörpert mit seinem 3D-Stacking und hochmodernen Packaging die Zukunft des High-Performance-Computings und verspricht eine beispiellose Leistung und Effizienz.
Wir stellen uns den komplexen Herausforderungen der modernen Speicherproduktion, beispielsweise der Leistung beim Hybrid-Bonding auf dem Wafer und dem Ertragsmanagement. Mit unserer Expertise in Sachen Micro-Bumps und Through-Silicon-Vias (TSVs) sind wir in der Lage, eine außergewöhnliche Prozesskontrolle und Produktivität anzubieten.
Unsere Lösungen
Der Schwerpunkt der Coronus-Systeme liegt auf der Schrägkante und damit auf der Verbesserung der Ausbeute insgesamt. Die Halbleiterverarbeitung kann das Anhäufen von Rückständen sowie die Entstehung rauer Oberflächen entlang dem Waferrand bewirken, von dem aus die Rückstände abblättern, in andere Bereiche abdriften und Defekte verursachen können, die einen Geräteausfall zur Folge haben. Coronus-Ätzprodukte entfernen diese Rückstände auf den Rändern und Coronus Deposition schützt den Waferrand vor Beschädigungen.
Unsere Reliant-Abscheidungsprodukte unterstützen Roadmaps für Spezialtechnologien und verlängern die produktive Lebensdauer von Fabs.
“The Road to the AI Era Is Paved in Semiconductor Manufacturing Innovation," an in-depth white paper written by The TechArena and sponsored by Lam Research, explores the pivotal role of chipmaking innovation in ushering in the next transformative technological age. The paper provides authoritative insights into the revolutionary effects of generative AI and large language models across various industries, the emerging challenges in delivering performance to meet these advanced requirements, and the critical importance of high bandwidth memory (HBM) in AI compute platforms.
There is a lot of buzz around high bandwidth memory (HBM). As artificial intelligence (AI) continues to advance so do its demands. Many major technology companies are betting on HBM to meet them. HBM is an advanced computer memory designed to offer faster data access with lower energy consumption. For AI, it can be a critical component in performance and reducing power consumption in memory chips.