Der Bereich Interconnect steht für die komplexe Verdrahtung, die Milliarden von einzelnen Komponenten (Transistoren, Kondensatoren, etc.) auf einem Chip miteinander verbindet. Je enger die immer kleiner werdenden Bauteile gepackt werden, desto mehr Verbindungslevels werden benötigt und es wird immer schwieriger, alles miteinander zu verbinden. Tatsächlich sind aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung die Interconnects heute zunehmend für den Geschwindigkeitsengpass in modernen Mikrochips verantwortlich. Aufgrund dieser Entwicklung werden Technologien, die den Widerstand der Metallverbindungen verringern, und neue, hochisolierende Materialien benötigt. Für die Fertigung neuester Hochleistungsbauteile werden zunehmend Interconnect-Strukturen mit engen Strukturen und komplexen Filmschichten verwendet; ein Trend, der wiederum vermehrt flexible und höchste Prozess-Performanz erfordert.
Unsere Lösungen
Der Schwerpunkt der Coronus-Systeme liegt auf der Schrägkante und damit auf der Verbesserung der Ausbeute insgesamt. Die Halbleiterverarbeitung kann das Anhäufen von Rückständen sowie die Entstehung rauer Oberflächen entlang dem Waferrand bewirken, von dem aus die Rückstände abblättern, in andere Bereiche abdriften und Defekte verursachen können, die einen Geräteausfall zur Folge haben. Coronus-Ätzprodukte entfernen diese Rückstände auf den Rändern und Coronus Deposition schützt den Waferrand vor Beschädigungen.
Unsere Reliant-Abscheidungsprodukte unterstützen Roadmaps für Spezialtechnologien und verlängern die produktive Lebensdauer von Fabs.
To keep pace with Moore's Law and enable greater interconnect scaling, the semiconductor ecosystem is continually experimenting with variations of materials. Tungsten has been the interconnect metal of choice for nearly a quarter century in NAND, DRAM, and logic/foundry middle-of-line applications. But scaling requirements are now pushing the boundaries of what is possible with tungsten. A variety of metals are being considered, but one — molybdenum — is an especially promising candidate. At the atomic dimensions required for advanced chipmaking, moly is emerging as the most suitable material to replace tungsten, creating a major inflection in the industry.
Cu’s resistivity depends on its crystal structure, void volume, grain boundaries and material interface mismatch, which becomes more significant at smaller scales. The formation of Cu wires is traditionally done by etching a trench pattern in low-k silicon dioxide using a trench etch process, and subsequently filling the trench with Cu via a damascene flow. Unfortunately, this method produces multi-crystalline structures with significant grain boundaries and voids, which increases the Cu wire resistance. A highly resistive TaN liner material is also utilized in this process to prevent Cu diffusion during the damascene annealing process.