메모리 셀은 전자 데이터를 저장하는 칩 구성 요소로, 단기 휘발성(예: DRAM) 및 장기 비휘발성(예: flash) 저장 유형이 있습니다. DRAM은 ‘작업'(활성) 메모리의 주축이 되며, 플래시 메모리는 대용량의 데이터를 컴팩트한 형태로 저장하는 데 사용됩니다.
보다 많은 저장 용량을 위해 디바이스 집적도를 높이려는 노력의 일환으로 DRAM 기능이 계속해서 축소되고 있으며, NAND 플래시가 3D 아키텍처로 전환되면서 추가적인 프로세싱 문제가 발생하게 되었습니다. 예를 들어 3D NAND의 수많은 층은 응력에 취약하며, 고종횡비 채널에 결함이 발생하는 경우 전기적 단락과 간섭을 일으킬 수 있습니다. 활성 및 스토리지 메모리 사이의 간극을 해소하는 새로운 메모리 유형을 생산하는 것도 프로세싱이 어려운 새로운 소재 사용으로 인해 쉽지 않습니다. 따라서 탁월한 프로세스 제어, 유연성 및 생산성이 요구됩니다.
램리서치는 혁신을 주도함으로써 메모리 솔루션이 진화하는 기술 요구를 충족할 수 있도록 보장합니다. AI, VR, AR, 전기 자동차에 대한 수요 급증에 대응하기 위해 당사가 혁신하고 있는 분야 중 하나는 고대역폭 메모리(HBM) 기술입니다. HBM은 3D 스태킹과 최첨단 패키징을 통해 고성능 컴퓨팅의 미래를 구현하고 있으며, 탁월한 성능과 효율성을 약속합니다.
램리서치는 웨이퍼의 하이브리드 본딩 성능 및 수율 관리와 같은 고급 메모리 생산의 복잡한 과제에 대해 마이크로 범프 및 실리콘 관통전극(TSV)에 대한 전문성을 바탕으로 탁월한 공정 제어 및 생산성을 제공합니다.
램리서치의 솔루션
“The Road to the AI Era Is Paved in Semiconductor Manufacturing Innovation," an in-depth white paper written by The TechArena and sponsored by Lam Research, explores the pivotal role of chipmaking innovation in ushering in the next transformative technological age. The paper provides authoritative insights into the revolutionary effects of generative AI and large language models across various industries, the emerging challenges in delivering performance to meet these advanced requirements, and the critical importance of high bandwidth memory (HBM) in AI compute platforms.
There is a lot of buzz around high bandwidth memory (HBM). As artificial intelligence (AI) continues to advance so do its demands. Many major technology companies are betting on HBM to meet them. HBM is an advanced computer memory designed to offer faster data access with lower energy consumption. For AI, it can be a critical component in performance and reducing power consumption in memory chips.