圖案化(Patterning)涉及一整套製程步驟 ─ 包括微影、沉積、與蝕刻 ─ 用來形成非常微小、複雜的晶片特徵結構。每一個新世代,元件尺寸都會持續微縮。對先進結構來說,這些特徵結構的尺寸已經太小和/或放置地太緊密,無法以傳統的微影設備來製作 ─ 微影步驟是把晶片設計的複雜細節從光罩「樣板」轉換到晶圓上。為了補償所需的精密度,晶片製造商正利用多重光罩與製程組合的雙重/四重和間隔層式(spacer-based)曝光等先進技術。雖然這些技巧克服了現有微影設備的限制,但是也帶來了對優異製程精密度與薄膜品質的新要求,才能準確地製作出所需的精細、高密度特徵結構。
圖案化
解決方案CORONUS系列產品
Plasma Bevel Etch and Deposition
Coronus 系統專注於晶圓邊緣,以提高產品良率。半導體製程會導致殘留物和微粗糙沿著晶圓邊緣積聚,它們可能會剝落、漂移到其他區域並產生導致元件失效的缺陷。Coronus 刻蝕產品可去除邊緣殘留物,Coronus 沉積可保護晶圓邊緣不受損害。
STRIKER系列產品
Atomic Layer Deposition (ALD)
利用先進的ALD技術,這些產品可為介電層薄膜提供優異的控制能力,以建構關鍵製程中具備奈米級結構的先進元件。