Solution: 先進記憶體

這些介電層沉積產品可為高深寬比間隔提供完整的間隙填充，並具備業界領先的生產量與可靠度。

利用先進的ALD技術，這些產品可為介電層薄膜提供優異的控制能力，以建構關鍵製程中具備奈米級結構的先進元件。

專為Sense.i平台所設計，Vantex透過技術創新和Equipment Intelligence 重新定義了高深寬比蝕刻。

Lam Research的 PECVD產品能以高生產力為各種元件應用提供精密的介電層薄膜沉積。

這些金屬蝕刻產品能以高生產力為電性連接和金屬硬式罩幕應用提供優異的製程控制能力。

突破性的産品組合可提供埃米等級的精密度和超高選擇性、等向性材料的去除能力，以滿足3D結構和先進邏輯晶片與晶圓製造應用需求。